Lehrstuhl für Schaltungsentwurf
Technische Universität München (TUM) - Arcisstr. 21 - 80333 München

DFG-Forschergruppe 395 - Teilprojekt F7

Ausgewählte Materialien und Bauelemente für Siliziumhöchstintegration

In diesem Projekt sollen mit neuen vertikalen und lateralen Bauelementen, wie sie in den Projekten F4 - F6 entwickelt werden, Grundschaltungen für höchstintegrierte Bausteine entworfen und charakterisiert werden.

Für digitale und analoge Grundfunktionen wird untersucht, wie sich diese mit den neuen Bauelementen im Speziellen der Tunneling Field Effect Transistor (TFET) realisieren lassen. Es werden zunächst Schaltungssimulation auf Basis gemessener und modellierter Kennlinien durchgeführt, die dann auch im Experiment verifiziert werden. Damit können die Schaltungseigenschaften der Bauelemente getestet und Hinweise für die Konstruktion dieser Bauelemente gewonnen werden.

Integrierte Digitale Schaltungen



Speicherelemente



Sensor Applikationen